本设备是能够将Micro LED芯片从Release Plate(信越化学制SQRP系列)快速转移到大型(2nd) Donor Plate(信越化学制SQDP-G系列)上的Micro LED高速转移设备。
把原本排布在Release Plate上的Micro LED芯片通过非接触式(Gap-LL0)转移的工艺能够自由地在SQDP-G载板上进行芯片间距排布。
使用大面积的SQDP-G系列产品能更有效率地进行芯片到面板上的转移。

通过采用自主研发的「均匀照射光学系」与「阶段构造(Stages Architecture」方式
・可以进行非接触&无损伤、高处理量的芯片转移。
・可以实现±3um的芯片转移精度。
・可以抑制热飘移(Thermal Drift)的发生。