本設備是能夠將Micro LED晶片從Release Plate(信越化學製SQRP系列)快速轉移到大型(2nd)Donor Plate(信越化學製SQDP-G系列)上的Micro LED高速轉移設備。
原本排列在Release Plate上的原間距Micro LED以非接觸(Gap-LLO)方式能夠在SQDP-G載板上變更Pixel Pitch排列。
使用大面積的SQDP-G系列產品能更有效率進行晶片的背板轉移。

依據採用獨自開發的「均一照射光學系」與「階段構造(Stages Architecture)」方式
・可以進行非接觸&無損傷, 高處理量的晶片轉移。
・可以實現±3um的晶片轉移精度。
・可以抑制熱飄移(Thermal Drift)的發生。