本設備是將晶圓上所形成的Micro LED晶片一次性轉移到Donor Plate(信越化學製SQDP系列)上的Micro LED晶片轉移設備。
可以進行接觸式(Contact-LLO)與非接觸式(Gap-LL0)的Micro LED晶片轉移。
如果採用非接觸式(Gap-LLO)轉移,可以變換Micro LED晶片的間距。

依據採用獨自開發的「均一照射光學系」與「階段構造(Stages Architecture)」方式
・可以進行非接觸&無損傷,高處理量的晶片轉移。
・可以實現±3μm的晶片轉移精度。
・可以抑制熱飄移(Thermal Drift)的發生。